特許

J-GLOBAL ID：200903049682749762

半導体製造方法および液晶表示素子の製造方法

発明者： 林 久雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-080684
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275775
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：

【要約】【課題】 絶縁性基板上に半導体を形成するプラズマ工程において、安定したプラズマによる形成を行うことができる半導体製造方法および液晶表示素子の製造方法を提供する。【解決手段】 ガラス基板10の表面にTFTを形成するTFT面10Aを設け、反対側の裏面に、その全面にわたって導電性の透明膜であるITO膜20を設ける。真空チャンバ100内に設置されたプラズマ電極120の載置面120Aに、ITO膜20側を向けた状態でガラス基板10を載置する。真空チャンバ100内にプラズマ放電用ガスを注入し、プラズマ電極110、120に高周波電圧を印加して、真空チャンバ100内にプラズマを発生させて、エッチングやデポジションを行い、TFTを形成する。この際、ITO膜20によってTFT面10Aのプラズマ電位が均一化でき、安定した作業を得る。

請求項（抜粋）：

半導体製造装置のチャンバ内に設けられた基板載置面に絶縁性基板を載置し、前記チャンバ内にプラズマを発生させることにより、前記絶縁性基板の表面に成膜する半導体製造方法において、前記絶縁性基板の前記載置面側に配置される裏面に導電性の膜を成膜して、前記半導体装置の生成作業を行うことを特徴とする、半導体製造方法。

IPC (8件)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/08 ,  C23C 16/50 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/08 D ,  C23C 16/50 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/302 A ,  H01L 29/78 612 Z