特許
J-GLOBAL ID：200903049693509933
単結晶の製造方法及び装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
舘野 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-158454
公開番号（公開出願番号）：特開平8-333191
出願日： 1995年06月01日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：
【要約】【目的】 均一かつ低酸素濃度で欠陥の少ない大直径の単結晶を、HMCZ法により製造する。【構成】 磁場印加装置の超伝導電磁石を構成するコイルを、ルツボを挟んで同軸的に対向配備し、ルツボ内の原料融液に水平磁場を印加しつつ前記融液からシリコン単結晶を引き上げる、HMCZ法による単結晶製造装置において、超伝導磁石12,15とルツボ2との上下方向の相対位置が微調整可能な昇降装置を設ける。単結晶引上げ工程の進行に伴うルツボ内融液41における深さ方向の中心部Cmの降下を、前記昇降装置でルツボを上昇させて相殺することにより、単結晶引上げ工程中、常に超伝導電磁石12,15のコイル中心軸Ccが前記中心部Cmまたは、これより下方を通るように制御する。従来のHMCZ法に比べて、融液41に印加する磁場の強度分布の均一性が高まり、ルツボ内全体にわたって融液41の対流抑制効果が向上する。
請求項（抜粋）：
磁場印加装置の電磁石を構成するコイルをルツボを挟んで同軸的に対向配備し、ルツボ内の原料融液に水平磁場を印加しつつ前記融液から単結晶を引き上げる水平磁場印加CZ法において、前記電磁石のコイル中心軸がルツボ内融液における深さ方向の中心部または、これより下方を通るように、これら電磁石とルツボとの上下方向の相対位置を設定することを特徴とする単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 15/00 Z
, C30B 15/20
