特許

J-GLOBAL ID：200903049695079260

研磨材とそれを用いた研磨方法

発明者： 西山 秀美 ,  楠 義久
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-025670
公開番号（公開出願番号）：特開平8-216034
出願日： 1995年02月14日
公開日（公表日）： 1996年08月27日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウエハを、面ダレ現象を抑制し、高精度に研磨することができる研磨材とそれを用いた研磨方法を提供する。【構成】 この研磨材はとくにGaAsウエハの研磨に用いて有効であり、JISK6301で規定する硬度が50〜85である軟質ポリウレタン樹脂のマトリックス60〜90重量%と、前記マトリックスの中に分散され、シリカ、アルミナ、炭化ケイ素の群から選ばれる少なくとも1種の研磨砥粒10〜40重量%とから成る発泡体であって、その嵩密度をD2 、発泡前の嵩密度をD1 としたとき、D1 /D2 で示される発泡倍率が1.5〜4.0の範囲に調整されていて、定盤2,3の互いの対向面2a,3aに貼着され、キャリア5a,5bに保持された被研磨材4,4を研磨するために用いられる。

請求項（抜粋）：

JISK6301で規定する硬度が50〜85である軟質ポリウレタン樹脂のマトリックス60〜90重量%と、前記マトリックスの中に分散され、シリカ、アルミナ、炭化ケイ素の群から選ばれる少なくとも1種の研磨砥粒10〜40重量%とから成る研磨材であって、発泡倍率が1.5〜5.0の範囲に調整されていることを特徴とする研磨材。

IPC (5件)：

B24D 11/00 ,  B24B 37/04 ,  B24D 3/28 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304

FI (6件)：

B24D 11/00 D ,  B24D 11/00 E ,  B24B 37/04 A ,  B24D 3/28 ,  H01L 21/304 321 P ,  H01L 21/304 321 M