特許

J-GLOBAL ID：200903049698966640

非線形素子基板の製造方法

発明者： 島田 伸二 ,  足立 昌浩
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-226234
公開番号（公開出願番号）：特開平6-075242
出願日： 1992年08月25日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】 大きい残留分極と低い抗電界を有する強誘電体層を備えた非線形素子基板を得る。【構成】 基板上に形成された強誘電体層に対し、せん断応力を与えることにより、強誘電体における分子の配向方向を制御して、強誘電性を発現できる結晶構造の割合を増大させる。この強誘電体層にせん断応力を与えるためには、布、紙または樹脂などによって強誘電体層の表面をラビングする。また、基板がフレキシビリティーを有する場合には、強誘電体層の延伸または曲げを行うことによりせん断応力を与えることもできる。

請求項（抜粋）：

基板上に第1の電極と第2の電極とが強誘電体層を挟んで、または、強誘電体層の同一広面上に第1の電極と第2の電極とが離隔して、形成された非線形素子基板において、基板上に第1の電極と第2の電極と強誘電体層とを所定の配置で形成する工程と、該強誘電体層にせん断応力を与える工程と、を含む非線形素子基板の製造方法。