特許

J-GLOBAL ID：200903049703311789

磁気抵抗素子

発明者： 平本 雅祥 ,  松川 望 ,  川島 良男 ,  足立 秀明 ,  小田川 明弘 ,  杉田 康成
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-069949
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270922
出願日： 2001年03月13日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】 磁気抵抗素子を構成する、磁性体/非磁性体界面の物性が、素子特性を劣化させている。例えば、TMR素子では、スピン分極率が100%近いと予想されているハ-フメタルを磁性体として用いた場合でも、室温で、高々10数%程度のMRしか報告されていない。【解決手段】 少なくとも1種からなる磁性体中に、磁化方向が略揃った磁化領域Aと磁化方向が略揃った磁化領域Bと、前記磁化領域Aと前記磁化領域Bに挟まれた磁化接合領域Mがあり、前記磁化領域Aの少なくとも一部、または前記磁化領域Bの少なくとも一部のうち少なくとも一方が、外部から導入された磁気的エネルギ-に対し、磁気的に略固定され、前記磁化接合領域Mまたは前記磁化領域Aまたは前記磁化領域Bの磁化状態の変化を、電気抵抗の変化として検知する磁気抵抗素子である。

請求項（抜粋）：

少なくとも1種からなる磁性体中に、磁化方向が略揃った磁化領域Aと磁化方向が略揃った磁化領域Bと、前記磁化領域Aと前記磁化領域Bに挟まれた磁化接合領域Mがあり、前記磁化領域Aの少なくとも一部、または前記磁化領域Bの少なくとも一部のうち少なくとも一方が、外部から導入された磁気的エネルギ-に対し、磁気的に略固定され、前記磁化接合領域Mまたは前記磁化領域Aまたは前記磁化領域Bの磁化状態の変化を、電気抵抗の変化として検知する磁気抵抗素子。

IPC (8件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105

FI (8件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  G01R 33/06 R ,  H01L 27/10 447

Fターム (22件)：

2G017AA02 ,  2G017AD55 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BB02 ,  5D034CA08 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA16 ,  5E049CB01 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083GA30 ,  5F083JA37 ,  5F083LA10