特許
J-GLOBAL ID:200903049706791153

セラミックス製静電チャックおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 好宮 幹夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-208713
公開番号(公開出願番号):特開2000-031254
出願日: 1998年07月07日
公開日(公表日): 2000年01月28日
要約:
【要約】【課題】 チャック機能部とプレート部の接合において、接合力を高め、接合面における層間剥離、クラック、割れ等の発生を抑え、静電吸着面の歪み、反りの発生を防止して静電吸着力を高めると共に、高温耐熱性に優れ、半導体プロセスを汚染することのないセラミックス製静電チャックを安価に提供する。【解決手段】 導電体層電極を絶縁性誘電体層で被覆したチャック機能部と該チャック機能部の絶縁性誘電体層の一面にプレート部を接合して成るセラミックス製静電チャックにおいて、該絶縁性誘電体層とプレート部との接合層が、Ge-Al(Al合金を含む)共晶組成合金層あるいはSi-Al(Al合金を含む)共晶組成合金層であることを特徴とするセラミックス製静電チャック及びその製造方法。
請求項(抜粋):
導電体層電極を絶縁性誘電体層で被覆したチャック機能部と該チャック機能部の絶縁性誘電体層の一面にプレート部を接合して成るセラミックス製静電チャックにおいて、該絶縁性誘電体層とプレート部との接合層が、ゲルマニウム-アルミニウム(アルミニウム合金を含む)共晶組成合金層あるいはシリコン-アルミニウム(アルミニウム合金を含む)共晶組成合金層であることを特徴とするセラミックス製静電チャック。
IPC (2件):
H01L 21/68 ,  B23Q 3/15
FI (2件):
H01L 21/68 R ,  B23Q 3/15 D
Fターム (7件):
3C016GA10 ,  5F031BB09 ,  5F031BC01 ,  5F031FF03 ,  5F031KK07 ,  5F031MM01 ,  5F031MM12

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