特許
J-GLOBAL ID：200903049706824825
鉛成分の含有量が低減されたレジストモノマーの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-321603
公開番号（公開出願番号）：特開2003-128630
出願日： 2001年10月19日
公開日（公表日）： 2003年05月08日
要約：
【要約】【課題】半導体用レジストおよびその原料となるレジストモノマーに含まれる、蒸留や一般的な酸による洗浄では取り除くことができない鉛またはある種の有機鉛化合物と考えられる不純物(鉛成分)を、簡便かつ確実に除去する。【解決手段】上記鉛成分を不純物を含む粗レジストモノマー(アダマンタン骨格を有する(メタ)アクリレートモノマー等)を、塩素(Cl2)、臭素(Br2)、またはよう素(I2)と接触させる(水溶液による洗浄等)することにより、これら鉛成分を除去する。さらに、過剰の塩素、臭素又はよう素はチオ硫酸ナトリウム等の還元剤で還元することにより除去することができる。これにより、鉛成分等の各種不純物の含量が高度に低減されたレジストモノマーの製造が可能となる。
請求項（抜粋）：
不純物として鉛成分を含むレジストモノマーを、塩素、臭素又はよう素よりなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲン単体と接触させ、該鉛成分の量を低減させることを特徴とする、鉛成分の含有量が低減されたレジストモノマーの製造方法。
IPC (4件)：
C07C 67/60
, C07C 69/54
, C08F 2/00
, G03F 7/26 501
C07C 67/60
, C07C 69/54 B
, C08F 2/00 Z
, G03F 7/26 501
2H096BA01
, 2H096BA09
, 2H096CA00
, 2H096LA30
, 4H006AA01
, 4H006AA02
, 4H006AB46
, 4H006AD30
, 4H006BE53
, 4H006BJ30
, 4J011HB10
