特許

J-GLOBAL ID：200903049707886158

半導体チップ、半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 櫻井 雅也
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-110674
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303245
出願日： 1997年04月28日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：

【要約】【課題】 実装高さを高くし、これにより半田バンプの疲労寿命を長くする。【解決手段】 半導体素子が形成された基体2の表面にバンプ3が設けられてなり、実装基板の表面に形成された半田部と上記バンプ3を介して接合される半導体チップ1であって、バンプ3が、基体2の表面に形成されているとともに、上記半田部の半田の融点よりも高い融点を有する半田からなるバンプ本体3aと、バンプ本体3aの表面を覆った状態で形成されているとともに、半田部の半田の融点よりも高い融点を有しかつ半田部の半田が溶融している状態にてこの半田が濡れない材料からなる不濡れ材料膜3bと、半田部との接合側にバンプ本体3aを外部に露出させた状態で形成された露出部3cとから構成されるものである。

請求項（抜粋）：

半導体素子が形成された基体の表面にバンプが設けられてなり、実装基板の表面に形成された半田部と前記バンプを介して接合される半導体チップにおいて、前記バンプは、前記基体の表面に形成されているとともに、前記半田部の半田の融点よりも高い融点を有する半田からなるバンプ本体と、前記バンプ本体の表面を覆った状態で形成されているとともに、前記半田部の半田の融点よりも高い融点を有しかつ該半田部の半田が溶融している状態にてこの半田が濡れない材料からなる不濡れ材料膜と、前記半田部との接合側に前記バンプ本体を外部に露出させた状態で形成された露出部とから構成されることを特徴とする半導体チップ。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/321 ,  H05K 3/34 501

FI (5件)：

H01L 21/60 311 Q ,  H05K 3/34 501 D ,  H01L 21/92 602 E ,  H01L 21/92 604 D ,  H01L 21/92 604 R