特許

J-GLOBAL ID：200903049710801848

半導体装置

発明者： 須郷 満 ,  伊藤 義夫 ,  森 英史
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-254523
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067841
出願日： 1991年09月06日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】 単結晶Siでなる半導体基板上に、単結晶III-V族化合物半導体でなる活性層を有する半導体積層体が、半導体レ-ザを構成すべく形成されている半導体装置において、活性層を残留応力の十分低いものにし、よって、半導体レ-ザを長寿命を有するものにする。【構成】 活性層を構成している単結晶III-V族化合物半導体を、Inx (Ga1-y Aly )1-x As(0 請求項（抜粋）：

単結晶Siでなる半導体基板上に、単結晶III-V族化合物半導体でなる活性層を有する半導体積層体が、半導体レ-ザを構成すべく形成されている半導体装置において、上記活性層を構成している単結晶III-V族化合物半導体が、Inx (Ga1-y Aly )1-x As(0