特許
J-GLOBAL ID：200903049711848848
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小杉 佳男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-303821
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162424
出願日： 1994年12月07日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【目的】互いに異なる不純物濃度をもつ複数の不純物拡散領域が形成された半導体装置を従来に比べ少ない工程数で製造できる製造方法を提供する。【構成】nウエルのうち最も不純物濃度の高い領域になる高不純物濃度イオン注入領域34の上にはフォトレジストを残存させない。不純物濃度が2番目に高い中不純物濃度イオン注入領域36の上では、パターン幅Wが0.5μm、高さHが1μm、パターン間隔L1が2μmになるようにフォトレジストをパターニングする。不純物濃度が最も低い低不純物濃度イオン注入領域38の上では、パターン幅Wが0.5μm、高さHが1μm、パターン間隔L2が1μmになるようにフォトレジストをパターニングする。Si基板30を回転させながら、Si基板30の表面に対して45°の角度を保って、P+ の斜めイオン注入を行う。
請求項（抜粋）：
互いに異なる不純物濃度になるように同種類の不純物が拡散された複数の不純物拡散領域が形成されてなる半導体装置の製造方法において、前記不純物拡散領域を形成するために前記不純物のイオンが注入されるイオン注入領域の上に、前記不純物濃度に応じて異なるパターンのフォトレジストを形成するフォトレジスト形成工程と、前記フォトレジストが形成された前記イオン注入領域に、前記不純物濃度に応じたドーズ量の不純物を斜めからイオン注入する斜めイオン注入工程と、イオン注入された前記イオン注入領域を熱処理することにより、注入された不純物イオンを活性化させて前記不純物拡散領域を形成する熱処理工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (3件)：
H01L 21/265 V
, H01L 21/265 A
, H01L 21/265 F
