半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-141669
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326551
出願日： 1996年06月04日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：

【要約】【課題】回路基板に外部端子を接続する際に、シリコンゲルとフラックスとが化学反応して外部端子の接続不良が生ずることを防止できる半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】回路基板11に半導体素子14を接続するソルダーペースト12と外部端子15を接続するソルダーペースト13を供給し、ソルダーペースト12により半導体素子14を回路基板11に接続した後に、各ソルダーペースト12、13の表面に現れるフラックスを洗浄により除去し、この後微量のソルダーペースト17をソルダーペースト13上に追加して外部端子15を接続するようにし、半導体装置全体としてフラックスの量を減少させ、シリコンゲルとの化学反応を減少させる。

請求項（抜粋）：

本体ケース内の回路基板に半導体素子と外部端子をソルダーペーストにより接続し、その後ゲル状充填材を上記本体ケース内に充填する半導体装置の製造方法において、上記回路基板に上記ソルダーペーストにより上記半導体素子が接続され且つ外部端子を接続するための上記ソルダーペーストが供給された後に、上記ソルダーペーストから発生するフラックスを洗浄により除去し、その後上記ソルダーペースト上により微量のソルダーペーストまたはフラックスを追加して上記外部端子を接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-040440
特開平4-275490
特開平3-040440

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