特許

J-GLOBAL ID：200903049716784473

ドライエツチング方法

発明者： 長山 哲治 ,  門村 新吾
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-185126
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013377
出願日： 1991年06月29日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 シリコン・トレンチ・エッチングにおいて、高異方性,高速性,低汚染性を同時に達成する。【構成】 ディープ・トレンチ加工では、ウェハを-70°Cに冷却し、Cl2 /S2 Cl2 混合ガスを用いて単結晶シリコン基板1をエッチングする。両方のガスから解離生成するCl* がCl+ ,SClx + ,S+ 等のイオンにアシストされる機構で高速にエッチングが進行する。一方、放電解離条件下でS2 Cl2 から生成する遊離のSがパターン側壁部に堆積して側壁保護膜5を形成するので、異方性形状を有するトレンチ1aが形成できる。上記側壁保護膜5は、エッチング終了後ウェハを90°C程度に加熱すれば昇華除去できるので、パーティクル汚染の原因とならない。Cl2 /S2 F2 混合ガスを用いれば、シャロー・トレンチ加工を高速に行うことができる。

請求項（抜粋）：

被エッチング基板の温度を室温以下に制御しながら、塩素系化合物とS2 F2 ,SF2 ,SF4 ,S2 F10,S3 Cl2 ,S2 Cl2 ,SCl2 ,S3 Br2 ,S2 Br2 ,SBr2 から選ばれる少なくとも1種類のハロゲン化イオウとを含むエッチング・ガスを用いてシリコン系材料層のエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。