特許
J-GLOBAL ID：200903049719558881
ミキサ回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-004920
公開番号（公開出願番号）：特開平5-191154
出願日： 1992年01月14日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：
【要約】【目的】 入力インピーダンスが安定しているFETミキサ回路を提供することを目的とする。【構成】 パルスドープ構造GaAsMESFET(1)を通常のMESFETまたはHEMTに代えてアクティブデバイスとして用い、そのゲートバイアス点を、相互コンダクタンスがゲート電圧の増加に対して増加する領域から変化しない領域に移る点の近傍に設定した。これにより、大振幅の局発信号に対しても相互コンダクタンスの変化が小さく、したがって、入力容量ひいては入力インピーダンスの変化が少ない。
請求項（抜粋）：
パルスドープ構造GaAsMESFETをアクティブデバイスとし、そのゲートバイアス点を、相互コンダクタンスがゲート電圧の増加に対して増加する領域から変化しない領域に移る点の近傍に設定したことを特徴とするミキサ回路。
IPC (4件)：
H03D 9/06
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H03D 7/12
