特許

J-GLOBAL ID：200903049721667264

不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

発明者： 合田 晃 ,  清水 和裕 ,  佐藤 信司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-188411
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015620
出願日： 1999年07月02日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】信頼性の高い不揮発性半導体装置を提供する事を目的とする。【解決手段】本願発明に係る不揮発性半導体記憶装置は、所定の信号が伝播する信号線と、複数のメモリセルから構成され、前記信号線から所定の信号を受け取るメモリセル列と、を具備し、前記メモリセルのそれぞれは二つの拡散層間に設けられるチャネル領域の上方に制御ゲートを有しており、前記複数のメモリセルのうち前記選択トランジスタに最も近いメモリセルのチャネル領域の上方に設けられた制御ゲートの幅が、それ他の前記メモリセルのチャネル領域の上方の設けられた制御ゲートの幅より狭いことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

所定の信号が伝播する信号線と、複数のメモリセルから構成され、前記信号線から所定の信号を受け取るメモリセル列と、を具備し、前記メモリセルのそれぞれは二つの拡散層間に設けられるチャネル領域の上方に制御ゲートを有しており、前記メモリセル列の端に位置するメモリセルのチャネル領域の上方に設けられた制御ゲートの幅が、その他の前記メモリセルのチャネル領域の上方に設けられた制御ゲートの幅より狭いことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

Fターム (14件)：

5F001AA01 ,  5F001AB02 ,  5F001AB08 ,  5F001AB09 ,  5F001AD53 ,  5F001AF06 ,  5F001AG10 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083EP23 ,  5F083EP48 ,  5F083EP76 ,  5F083ER21 ,  5F083PR03