薄膜形成装置および薄膜形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 内藤浩樹 , 永野大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-339170
公開番号（公開出願番号）：特開2009-161783
出願日： 2007年12月28日
公開日（公表日）： 2009年07月23日
要約：

【課題】真空プロセスによる薄膜形成時に見られる、基板冷却の不足を解決し、張力によるシワを抑制するための薄膜形成装置を提供すると共に、これを用いた薄膜形成方法を提供する。【解決手段】基板12と接する側から順に少なくとも絶縁層21と導電層22を有する無終端帯7に沿って基板が走行中に、薄膜形成源9から飛来する粒子によって基板上に真空中で薄膜形成を行うにあたり、導電層22と基板12との間に変動する電位差を付与する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

真空中で、長尺基板上に、薄膜を形成することができる薄膜形成装置であって、前記長尺基板を搬送させる搬送機構と、前記搬送中の基板表面上に、薄膜を形成する手段と、前記薄膜形成時に前記基板の裏面に接して搬送され、前記基板側から順に絶縁層、導電層が設けられ、前記導電層と前記基板との間に変動する電位差を付与して、前記基板を静電吸着する無終端帯と、前記搬送機構と、前記薄膜を形成する手段と、前記無終端帯とを収容する真空容器と、を有する薄膜形成装置。

IPC (1件)：

C23C 14/56

FI (2件)：

C23C14/56 D , C23C14/56 B

Fターム (17件)：

4K029AA02 , 4K029BA35 , 4K029CA01 , 4K029DB02 , 4K029DB21 , 4K029JA10 , 4K029KA03 , 5H050AA19 , 5H050BA16 , 5H050CB11 , 5H050DA03 , 5H050GA24 , 5H050GA29 , 5H050HA00 , 5H050HA04 , 5H050HA18 , 5H050HA20

引用特許：

出願人引用 (4件)

非水電解質二次電池用負極とその製造方法ならびにそれを用いた非水電解質二次電池
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-434837 出願人：松下電器産業株式会社
成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-187083 出願人：住友重機械工業株式会社
薄膜の製造方法及び薄膜製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-321677 出願人：松下電器産業株式会社

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