特許
J-GLOBAL ID：200903049729811585
半導体装置
出願人/特許権者：
富士電機株式会社
富士電機株式会社 について
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-334359
公開番号（公開出願番号）：特開平9-331018
出願日： 1996年12月16日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：
【要約】【課題】大電流で低コストのモジュール構造の半導体装置を提供すること。【解決手段】金属ベース板1上に金属膜でパターンニングされた絶縁基板11が固着され、絶縁基板11上に半導体チップ12がマウントされ、各半導体チップ12は金属細線13を介してコレクタ用外部導出端子31およびエミッタ用外部導出端子32と接続し、コレクタ用外部電極4とエミッタ用外部電極5は前記の外部導出端子31、32と一体の導体で形成され、外部導出端子31、32は中央付近で絶縁基板11上のパターンニングされた金属膜とA部で接続され、同電位の外部電極4、5は図示されていない絶縁上蓋に設けられた外部導体で短絡される。この構成により、たとえ一方の外部電極に主回路が接続されても、主電流が外部導出端子の両側から中央付近に向かって(または中央付近から両端に向かって)均一に流れ、大電流でも外部導出端子が発熱することはなく、また半導体装置が破壊することがない。
請求項（抜粋）：
金属ベース板と、金属ベース板に固着される絶縁側壁および絶縁上蓋からなるケース内に、少なくとも外部導出端子、絶縁基板、半導体チップおよび半導体チップと接続する金属細線が収納され、且つ、ケース内が充填材で被覆されているモジュール構造の半導体装置において、半導体チップに主電流を流す外部導出端子が絶縁上蓋に設けられた同電位で複数個の外部電極に接続することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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