特許

J-GLOBAL ID：200903049736060153

化合物半導体の微細構造形成方法

発明者： 若林 信一 ,  東郷 仁麿 ,  豊田 幸雄
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-226882
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077181
出願日： 1992年08月26日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】 制御性,均一性,加工性にすぐれた量子井戸構造を有する化合物半導体の微細構造の形成方法を提供する。【構成】 量子井戸構造上にエッチンングマスク層を形成しエッチングすべき化合物半導体を露出させる。特定の入射角度を有するような方向性をもつ粒子線によりエッチングすることで,エッチング断面の片側は基板に対して垂直となる。引き続き矩型状のエッチングマスクを形成し,その矩型状のエッチングマスクに対してはじめのエッチング工程とは逆方向から特定の入射角度を有する方向性をもつ粒子線によりをエッチングする。これににより,もう一方の断面も基板に対して垂直となり,制御性よく,かつ高密度に量子細線等の微細構造を形成することができる。

請求項（抜粋）：

単一量子井戸構造もしくは多重量子井戸構造を有する化合物半導体上にエッチングマスクを形成する工程と,前記化合物半導体とエッチングマスクとを特定の入射角度を有する方向性をもつ粒子線によりエッチングする工程と,引き続き矩型状のエッチングマスクを形成する工程と,その矩型状のエッチングマスクに対して第一のエッチング工程とは逆方向から特定の入射角度を有する方向性をもつ粒子線により前記化合物半導体とエッチングマスクとをエッチングする工程とを備えたことを特徴とする化合物半導体の微細構造形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-166581
  
• 特開昭62-128581
  
• 特開昭55-108742