特許
J-GLOBAL ID:200903049743360600

シリカ系被膜形成用塗布液、その製造法、シリカ系被膜及び半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 若林 邦彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-191688
公開番号(公開出願番号):特開平10-041289
出願日: 1996年07月22日
公開日(公表日): 1998年02月13日
要約:
【要約】【課題】 耐クラック性が優れ、エッチバック処理を要せず、また、シリカ系被膜の製造が容易なシリカ系被膜形成用塗布液の製造法、シリカ系被膜形成用塗布液及びシリカ系被膜並びに配線層間膜の平坦性に優れ、信頼性に優れる半導体装置を提供する。【解決手段】 化1〔一般式(I)〕【化1】(式中Rは、炭素数1〜3のアルキル基を示す)で表されるトリアルコキシシラン化合物を加水分解・縮重合させてシロキサンポリマーを合成するに際し、極性化合物及び末端基修飾剤を存在させることを特徴とするシリカ系被膜形成用塗布液の製造法、この製造法により得られるシリカ系被膜形成用塗布液、このシリカ系被膜形成用塗布液を用いて形成されたシリカ系被膜並びにこのシリカ系被膜を層間絶縁膜とした半導体装置。
請求項(抜粋):
化1〔一般式(I)〕【化1】(式中Rは、炭素数1〜3のアルキル基を示す)で表されるトリアルコキシシラン化合物を加水分解・縮重合させてシロキサンポリマーを合成するに際し、極性化合物及び末端基修飾剤を存在させることを特徴とするシリカ系被膜形成用塗布液の製造法。
IPC (2件):
H01L 21/312 ,  C09D183/05 PMS
FI (2件):
H01L 21/312 C ,  C09D183/05 PMS

前のページに戻る