特許
J-GLOBAL ID：200903049744868658
容量型絶対圧センサおよび方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川北 武長
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-516951
公開番号（公開出願番号）：特表平10-509241
出願日： 1995年11月09日
公開日（公表日）： 1998年09月08日
要約：
【要約】容量型絶対圧センサ(10)は、上面に電極(24)を堆積形成した基板(14)と、基板(14)の上に配設されたダイヤフラム組立体(12)とを含む。圧力が増加すると、ダイヤフラム(16)が歪曲し、電極(24)に接触し(接触モード)、センサ(10)の静電容量が変化する。変化した静電容量を検出することにより圧力変化を検出する。ダイヤフラム(16)下方のチャンバ(34)内の静電容量の変化を検出するために埋め込みフィードスルーが使用され、これにより検出した圧力が測定される。チャンバ(34)内の真空は、検出電極と絶縁層(32)の厚さを適切に選択し、それらを熱サイクルに晒し、そしてダイヤフラム組立体(12)を基板(14)に気密接合することによって維持される。
請求項（抜粋）：
容量型圧力センサであって、 1)上面に配置した電極、2)電極によって接続された第1と第2の部分、および3)第1部分においてのみ電極を覆うように配置された絶縁層を有する基板と、 基板上に設けられ、フレーム構造、およびダイヤフラムが横切るように配設された第1の領域と第2の開口した領域とを形成する分離壁を有するダイヤフラム組立体とを有し、 1)基板の第1部分がダイヤフラムと位置合わせされ、ダイヤフラム、基板、分離壁、および第1領域を形成するフレーム構造の対応部分が真空チャンバを形成し、2)基板の第2部分が第2の開口した領域と位置合わせされて電極への接近を容易にするように第1および第2の領域が基板上に配置され、 分離壁は、全体として第1および第2領域を分離し、第1の部分において電極上の絶縁層に接触し、絶縁層と電極は所定の厚さであり、絶縁層は電極の回りで変形し、真空チャンバ内における真空状態を封止して維持するようにした容量型圧力センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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