特許

J-GLOBAL ID：200903049755826779

半導体装置の製造方法及び電気光学装置の製造方法並びにこれらの製造方法により製造された半導体装置及び電気光学装置

発明者： 小橋 裕
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-200875
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028394
出願日： 1999年07月14日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】【課題】 レジスト膜を用いてイオン注入を行う工程を経る電気光学装置の製造方法において、表示欠陥のない、表示特性の良い電気光学装置を得る。【解決手段】 基板上に、半導体層1、これを覆うゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜2上に走査線3を配置した後、レジスト膜をマスクとして半導体層1に不純物イオンを注入する。このレジスト膜406は、画像表示領域中では走査線3とデータ線6とが交差する領域の走査線を覆う形状を有している。これにより、レジスト膜406形成時に用いる現像液による走査線3のエッチングを未然に防止し、データ線6と走査線3との短絡がない、表示欠陥のない電気光学装置を得る。

請求項（抜粋）：

第1配線と第2配線とが交差する領域を有する半導体装置の製造方法であって、半導体層を形成する工程と、前記第1配線を形成する工程と、前記第1配線の所定領域の上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとして、前記半導体層に不純物イオンを注入する工程と、前記第1配線の所定領域の上に前記第1配線に交差するように前記第2配線を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  G02F 1/1365 ,  H01L 29/786

FI (3件)：

H01L 21/90 W ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 A

Fターム (84件)：

2H092GA29 ,  2H092GA34 ,  2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA46 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB67 ,  2H092KA04 ,  2H092KA10 ,  2H092MA10 ,  2H092MA15 ,  2H092MA27 ,  2H092NA01 ,  2H092NA13 ,  2H092PA02 ,  5F033GG04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH10 ,  5F033HH18 ,  5F033HH20 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ10 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ38 ,  5F033KK04 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK10 ,  5F033KK18 ,  5F033KK20 ,  5F033MM05 ,  5F033PP14 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ83 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033SS12 ,  5F033SS15 ,  5F033XX16 ,  5F033XX17 ,  5F033XX31 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD24 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL11 ,  5F110HL22 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN72 ,  5F110PP03