Si発光装置とその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-195650
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045644
出願日： 1992年07月22日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】【目的】シリコン発光装置に関し、新規な構成を有するSi発光装置を提供することを目的とする。【構成】 Si層と絶縁層と支持基板とを積層したSOI基板を準備し、支持基板側からSi層に達する開口を形成する工程と、前記開口上にバックコンタクト電極を形成し、前記Si層を弗酸水溶液中で陽極酸化してポラスSi領域を形成する工程と、前記Si層のポラスSi領域を挟んでn型領域とp型領域を形成する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

Si層(3)と絶縁層(2)と支持基板(1)とを積層したSOI基板であって、前記Si層(3)の所定領域上で支持基板と絶縁層に開口(5)が形成されているSOI基板(4)と、前記Si層の所定領域に形成されたポーラスSi領域(8)と、前記Si層の所定領域に隣接して形成されたn型領域(12)と、前記Si層の所定領域に隣接して、前記n型領域(12)と対向して形成されたp型領域(13)とを含むSi発光装置。

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