特許

J-GLOBAL ID：200903049762776493

ポリイミド基体への金属メッキ膜形成方法

発明者： 村尾 健二 ,  赤星 晴夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高田 幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-004999
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208768
出願日： 2001年01月12日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：

【要約】【課題】本発明は、ポリイミド基体に銅等の金属膜を無電解メッキ法により析出させる際、該ポリイミドの化学的安定性を損ねることなく金属膜との密着性を確保しうる(アディティブ法へ適用が可能な)金属メッキ膜の作成方法を提供することにある。【解決手段】ポリイミド基体の表面に導電回路パターンを形成する金属メッキ膜の作成方法において、予め該ポリイミド基体の表面を、アルカリ性物質共存下で1級アミノ基を有する有機ジスルフィド化合物又は1級アミノ基を有する有機チオール化合物を含む溶液で処理することを特徴とする金属メッキ膜の作成方法。

請求項（抜粋）：

ポリイミド基体の表面に導電回路パターンを形成する金属メッキ膜の作成方法において、予め該ポリイミド基体の表面を、アルカリ性物質共存下で1級アミノ基を有する有機ジスルフィド化合物又は1級アミノ基を有する有機チオール化合物を含む溶液で処理することを特徴とするポリイミド基体への金属メッキ膜形成方法。

IPC (5件)：

H05K 3/18 ,  C23C 18/20 ,  C25D 5/56 ,  C25D 7/00 ,  H05K 3/38

FI (6件)：

H05K 3/18 A ,  H05K 3/18 H ,  C23C 18/20 Z ,  C25D 5/56 B ,  C25D 7/00 J ,  H05K 3/38 A

Fターム (32件)：

4K022AA15 ,  4K022AA42 ,  4K022BA08 ,  4K022BA31 ,  4K022BA36 ,  4K022CA03 ,  4K022CA06 ,  4K022CA16 ,  4K022CA22 ,  4K022DA01 ,  4K024AA09 ,  4K024AB02 ,  4K024AB17 ,  4K024BA14 ,  4K024BB11 ,  4K024CB12 ,  4K024DA10 ,  4K024GA01 ,  5E343AA02 ,  5E343AA18 ,  5E343BB16 ,  5E343BB24 ,  5E343BB71 ,  5E343CC22 ,  5E343CC71 ,  5E343CC73 ,  5E343DD33 ,  5E343DD43 ,  5E343EE06 ,  5E343EE20 ,  5E343ER02 ,  5E343GG02