成膜方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石島茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-087902
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282557
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】窒化ハフニウム薄膜を室温程度で成膜できる技術を提供する。【解決手段】本発明の成膜方法では、真空雰囲気中でアノード電極30に対して負極性の電圧を、ハフニウム蒸着材料43に印加して蒸着材料43とトリガ電極42との間にトリガ放電を生じさせ、蒸着材料43とアノード電極30の間にアーク放電を発生させて、基板中心軸線8bと平行な方向で、基板8から遠ざかる方向にアーク電流i2を流している。するとアーク電流i2の流れる方向を右ねじの進行方向としたときに、その右ねじが進むように右ねじを回す方向の磁界20aが形成され、蒸着材料43を蒸発させると、蒸気中の荷電粒子のみがアーク電流i2、磁界20aによる力Fを受けて基板8方向に曲げられ、荷電粒子が基板8表面に到達する。荷電粒子は活性な粒子なので、基板8を加熱しなくとも、窒化ハフニウム薄膜を成膜することができる。

請求項（抜粋）：

真空槽内に原料ガスを導入するガス導入ノズルを配置しておき、前記ガス導入ノズルの近傍に基板を配置し、前記基板の略中心を通り前記基板表面と垂直な基板中心軸線上に、ハフニウム蒸着材料を配置し、前記ガス導入ノズルで前記基板表面近傍へ前記原料ガスを流し、前記ハフニウム蒸着材料の側面から、前記基板表面と平行な方向に正電荷が射出されるときに、前記正電荷に前記基板に向く力を加える磁界を前記基板中心軸線を中心として形成するとともに、前記ハフニウム蒸着材料から、少なくとも前記ハフニウム蒸着材料の構成物質の荷電粒子を放出させ、前記荷電粒子を前記基板方向に移動させ、前記原料ガスと反応させ、前記基板表面に、反応生成物からなる薄膜を成膜する成膜方法。

IPC (6件)：

H01L 21/31 , C23C 14/32 , H01F 41/20 , H01L 21/28 301 , H01L 21/285 , H01L 21/318

FI (6件)：

H01L 21/31 B , C23C 14/32 , H01F 41/20 , H01L 21/28 301 R , H01L 21/285 P , H01L 21/318 B

Fターム (28件)：

4K029AA04 , 4K029AA24 , 4K029BA43 , 4K029BA58 , 4K029CA04 , 4K029DA05 , 4K029DA08 , 4K029DB03 , 4K029DB17 , 4M104BB29 , 4M104BB34 , 4M104BB36 , 4M104DD34 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 5E049AA10 , 5E049HC02 , 5F045AA18 , 5F045AB40 , 5F045AC15 , 5F045BB07 , 5F045BB14 , 5F045DP01 , 5F058BA05 , 5F058BC03 , 5F058BC09 , 5F058BF17 , 5F058BF30

前のページに戻る