特許

J-GLOBAL ID：200903049768017551

結晶性半導体薄膜の製造方法

発明者： 渋谷 司 ,  宮本 忠芳 ,  畑田 泰志
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-057548
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255753
出願日： 1995年03月16日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【目的】 大面積基板全面にわたって、均一で良質の結晶性半導体膜を得るとともに、素子の高集積化を可能とする。【構成】 非晶質シリコン膜3にレーザ光を照射して多結晶シリコン膜3’を形成する際に、レーザ光ビームのエッジ領域Aで形成される結晶性の低い膜領域にシリコンイオンを注入して再度非晶質化し、この非晶質化した膜領域にレーザ光ビームのエネルギー密度が安定したエネルギー領域Bでレーザ光照射を行うことにより、結晶性の低い膜領域が無くなり、大面積基板全面にわたって、均一で良質の結晶性を有する半導体薄膜結晶層としての多結晶シリコン膜3’を得ることができる。これにより、素子の高集積化が可能となる。

請求項（抜粋）：

非晶質半導体膜をレーザ光照射により多結晶化する第1多結晶化工程と、該レーザ光ビームのエッジ領域で照射した膜領域を再度非晶質化する非晶質化工程と、該再度非晶質化した膜領域にエネルギー密度が安定領域にあるレーザ光を照射して多結晶化する第2多結晶化工程とを含む結晶性半導体薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/268

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 21/265 P ,  H01L 21/265 Q