特許

J-GLOBAL ID：200903049770406301

研磨用組成物並びに研磨方法

発明者： 竹田 敏郎
出願人/特許権者： 住友ベークライト株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-091641
公開番号（公開出願番号）：特開2003-286477
出願日： 2002年03月28日
公開日（公表日）： 2003年10月10日
要約：

【要約】【課題】 銅膜とタンタル化合物を有する半導体デバイスのCMP加工プロセスにおいて、銅表面を研磨する際は銅の研磨レートが大きいがタンタル化合物の研磨の際には銅の研磨レートが減少し、タンタル化合物の研磨レートが向上する研磨用組成物ならびに研磨方法を提供する【解決手段】 (A)研磨材、(B)有機酸、(C)酸化剤、(D)酸化防止剤(E)研磨速度調節剤および(F)水からなり、研磨材が、フュームドシリカ、コロイダルシリカ、フュームドアルミナ、およびコロイダルアルミナのうち少なくとも1種類からなる無機粒子が有機樹脂で被覆された粒子からなる研磨用組成物である。

請求項（抜粋）：

(A)研磨材、(B)有機酸、(C)過酸化水素、(D)ベンゾトリアゾールまたはその誘導体、(E)研磨速度調節剤および(F)水を有する研磨用組成物であり、(A)研磨材が、フュームドシリカ、コロイダルシリカ、フュームドアルミナおよびコロイダルアルミナのうちから選ばれる少なくとも1種類の無機粒子を有機樹脂で被覆した粒子であり、該研磨材の一次粒子径が0.01〜1μmであり、研磨用組成物中の濃度が3〜30重量%であり、(B)有機酸の研磨用組成物中の濃度が0.01〜10重量%であり、(C)過酸化水素の研磨用組成物中の濃度が0.03〜10重量%であり、(D)ベンゾトリアゾールまたはその誘導体の研磨用組成物中の濃度が0.01〜10重量%であり、(E)研磨速度調節剤が無機酸または有機酸と塩基性化合物との塩であり、研磨用組成物中の濃度が0.001〜1重量%であることを特徴とする研磨用組成物。

IPC (6件)：

C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  B24B 37/00 ,  B24B 57/02 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304

FI (6件)：

C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  B24B 37/00 H ,  B24B 57/02 ,  H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 622 R

Fターム (7件)：

3C047FF08 ,  3C047GG15 ,  3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA17