特許
J-GLOBAL ID:200903049773692615

薄膜の密度測定方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-010507
公開番号(公開出願番号):特開平10-206354
出願日: 1997年01月23日
公開日(公表日): 1998年08月07日
要約:
【要約】【課題】 薄膜の膜厚の制限を受けることなく、且つ、フィッテング等の複雑な手法を必要とせず、測定すべきパラメータの少ない薄膜の密度測定方法を提供する。【解決手段】 基板結晶の表面に薄膜を形成している試料と薄膜を形成していない試料の全反射X線強度分布と回折X線強度分布を測定し、その分布特性よりそれぞれの試料の全反射臨界角とブラッグピークとなる角度を求め、これらより薄膜の密度を算出する。【効果】 測定における誤差要因が少なく、精度の高い薄膜の密度の値が得られる。
請求項(抜粋):
X線を低角度で試料に入射し、該試料で反射および回折したX線を検出して、試料表面の薄膜の密度を求める薄膜の密度測定方法において、前記X線を所定の入射角で該試料表面に入射し、該入射X線に対して得られる回折X線より該試料のブラッグピークとなる角度θoと、該入射X線に対して得られる反射X線より前記薄膜の全反射臨界角θcを求めると共に、前記試料であって、試料表面に薄膜を有しない試料を作成し、前記X線を所定の入射角で該試料表面に入射し、該入射X線に対して得られる回折X線より該試料のブラッグピークとなる角度θo′と、該入射X線に対して得られる反射X線より該試料の全反射臨界角θc′を求め、前記測定で得られた角度情報を用いて、前記試料表面の薄膜の密度ρを求める演算式に基づき、前記試料表面の薄膜の密度ρを算出することを特徴とする薄膜の密度測定方法。
IPC (3件):
G01N 23/201 ,  G01N 23/207 ,  H01L 21/66
FI (3件):
G01N 23/201 ,  G01N 23/207 ,  H01L 21/66 Q

前のページに戻る