特許

J-GLOBAL ID：200903049781686063

フォトレジストパターンの形成方法

発明者： 岡部 一朗 ,  諸沢 成浩
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-043208
公開番号（公開出願番号）：特開平11-242336
出願日： 1998年02月25日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：

【要約】【課題】 耐熱性および耐ドライエッチング性を維持したまま、寸法制御性及びレジスト剥離性に優れたフォトレジストパターンの形成方法を提供する。【解決手段】 導体基板上に塗布されたポジ型化学増幅型レジストにマスクパターンを転写するリソグラフィー工程において、半導体基板にポジ型化学増幅型レジストを塗布、露光及び現像し、レジストパターンを形成後、前記化学増幅型レジストに特定波長に単一のピークをもつ放射線を全面照射し、その後に半導体基板を加熱する。また、前記全面照射量がレジストの膜抜け感度の2倍以上であり、前記全面照射後の波長633nmに対する屈折率を放射線全面照射前に比べて3%以上増加させ、前記全面照射後のレジストパターンの線幅が全面照射前に比べて5%以上収縮する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に塗布されたポジ型化学増幅型レジストにマスクパターンを転写するリソグラフィー工程において、半導体基板にポジ型化学増幅型レジストを塗布、露光及び現像し、レジストパターンを形成後、前記化学増幅型レジストに特定波長に単一のピークをもつ放射線を全面照射することを特徴とするフォトレジストパターンの形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/30 502 A ,  H01L 21/30 570