特許

J-GLOBAL ID：200903049788695998

受光素子及びその光モジュール並びに光ユニット

発明者： 山本 直樹 ,  乗松 正明 ,  中川 剛二 ,  佐々木 誠美
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-118069
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307134
出願日： 1996年05月13日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】 本発明は受光素子及びその光モジュール並びに光ユニットに関し、面取り入射型受光素子における一層の小型化、高集積化、量産化、低価格化が図れる受光素子及びその光モジュール並びに光ユニットの提供を課題とする。【解決手段】 半導体素子の基板側より光ビームを入射し、対面の接合側で光検出を行う受光素子の前記基板側の受光経路に斜面3Aを備え、該斜面で屈折し又は反射した光ビームを前記接合側の光検出部に導く受光素子において、前記接合側の光検出部PDに対応して第1の電極8を備え、かつ該接合側と相対する基板3側の主面に前記光検出部PDをなすホトダイオードを逆バイアスするための第2の電極11を備える。

請求項（抜粋）：

半導体素子の基板側より光ビームを入射し、対面の接合側で光検出を行う受光素子の前記基板側の受光経路に斜面を備え、該斜面で屈折し又は反射した光ビームを前記接合側の光検出部に導く受光素子において、前記接合側の光検出部に対応して第1の電極を備え、かつ該接合側と相対する基板側の主面に前記光検出部をなすホトダイオードを逆バイアスするための第2の電極を備えることを特徴とする受光素子。

IPC (3件)：

H01L 31/10 ,  G02B 6/42 ,  H01L 31/0232

FI (3件)：

H01L 31/10 A ,  G02B 6/42 ,  H01L 31/02 C