特許

J-GLOBAL ID：200903049791816011

半導体パッケージ及びその製法

発明者： 梶原 良一 ,  高橋 和弥 ,  小泉 正博 ,  守田 俊章 ,  木本 良輔 ,  秋山 雪治 ,  西村 朝雄 ,  柴本 正訓 ,  下石 智明
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-100030
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294394
出願日： 1997年04月17日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】本発明の課題は、BGAパッケージにおいて、半田ボールバンプ接合部の高温による強度低下を防止することである。【解決手段】半田ボール9の接合部において、Auめっき下のNiめっきを省き、Cuの上に直接に厚いAuめっきを施す構造とし、半田ボール9搭載後にエージング処理を行ってCu/半田接合界面にAu-Cu-Sn合金層を形成する。【効果】半田接合界面の脆化原因であるAuSn化合物の形成を防ぐことができ、かつ半田ボール接合界面にAu-Cu-Sn合金層を形成したことで、Cu3Sn の脆弱さを改善できることにより、半田接合強度の高温劣化が防止され、信頼性が向上する。

請求項（抜粋）：

半導体チップに接続されるリード部と、該リード部に接合される半田バンプと、を備え、前記リード部と前記半田バンプとの接合界面において、前記リード部内のCuと前記半田バンプ内の半田とが、少なくともCu-Sn-Au合金層を介して接合されることを特徴とする半導体パッケージ。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/321

FI (2件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 21/92 602 R