特許

J-GLOBAL ID：200903049792322004

化合物半導体発光素子

発明者： 北川 雅彦 ,  友村 好隆 ,  中西 健司
出願人/特許権者： シヤープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-309361
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021847
出願日： 1991年11月25日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【構成】 II-VI族化合物半導体で形成されたpn接合型発光素子であって、該接合部のn層が必須の組成元素として亜鉛を含有するII-VI族化合物半導体層からなり、該接合部p層が必須の組成元素としてM,Be,Te(MはCd又はZn)を含有するエピタキシャル層からなるII-VI族化合物半導体層からなることを特徴とする化合物半導体発光素子。【効果】 安定かつ再現性のある高輝度青色発光ダイオードを初めとする短波長光の発光素子が得られる。

請求項（抜粋）：

II-VI族化合物半導体で形成されたpn接合型発光素子であって、該接合部のn層が必須の組成元素として亜鉛を含有するII-VI族化合物半導体層からなり、前記接合部のp層が必須の組成元素としてM,Be,Te(MはCd又はZn)を含有するエピタキシャル層からなるII-VI族化合物半導体層からなることを特徴とする化合物半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 27/15 ,  H01L 21/203