特許

J-GLOBAL ID：200903049796028623

薄膜容量素子及び半導体記憶装置

発明者： 阿部 和秀 ,  小松 周一 ,  桑江 良昇
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-132125
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299584
出願日： 1992年05月25日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 整流特性を有する薄膜コンデンサを提供することを目的とする。【構成】 ぺロブスカイト型結晶構造を有する高誘電率薄膜を誘電体とする薄膜コンデンサにおいて、高誘電率薄膜の一部を半導体化し、誘電体薄膜の上部と下部の電極に特定の異なる金属を使用して構成する。【効果】 ICの電源端子間で用いたとき、ICの電源端子の電圧変動を抑えるとともに、逆電圧を印加した際の保護素子としても機能する。

請求項（抜粋）：

整流特性を有することを特徴とする薄膜容量素子。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 27/108