特許
J-GLOBAL ID:200903049796505553

半導体製造排ガス除害装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 森 義明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-038318
公開番号(公開出願番号):特開平10-216471
出願日: 1997年02月05日
公開日(公表日): 1998年08月18日
要約:
【要約】【課題】 半導体製造排ガスの除害装置において、乱流を発生させて排ガスと空気との混合を促進することにより反応効率を向上させると共に、除害装置の粉塵堆積を少なくして通気抵抗の高まりを防止し、粉塵除去作業の頻度を少なくして生産性を向上させる。【解決手段】水溶性成分ガス又は加水分解成分ガスの少なくともいずれか一方と熱分解成分ガスを含む半導体製造排ガス中の水溶性成分ガス又は/及び加水分解成分ガスを除去する水スクラバ(11)と、水洗排ガス中の酸化熱分解成分ガスを酸化熱分解する酸化加熱分解装置とを有する。酸化加熱分解装置の反応筒(C)内に水洗排ガスを下部より上方に向けて導入する導入管(A)の内面又は外面の少なくともいずれか一方に沿って非接触状態で円周状に移動する撹拌棒(D),(E)を備えている。
請求項(抜粋):
水溶性成分ガス又は加水分解成分ガスの少なくともいずれか一方と酸化熱分解成分ガスを含む半導体製造排ガス中の水溶性成分ガス又は/及び加水分解成分ガスを除去する水スクラバと、水洗排ガス中の酸化熱分解成分ガスを酸化熱分解する酸化加熱分解装置とを有する半導体製造排ガス除害装置であって、酸化加熱分解装置の反応筒内に水洗排ガスを下部より上方に向けて導入する筒状のガス導入管の内面又は外面の少なくともいずれか一方に沿って非接触状態で円周状に移動する撹拌棒を備えていることを特徴とする半導体製造排ガス除害装置。
IPC (3件):
B01D 53/46 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31
FI (3件):
B01D 53/34 120 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 A

前のページに戻る