特許

J-GLOBAL ID：200903049801212870

高分子電解質錯体の製造方法

発明者： 大橋 秀和
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 小栗 昌平 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-030683
公開番号（公開出願番号）：特開2001-222910
出願日： 2000年02月08日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：

【要約】【課題】 遮蔽溶媒の探索が不要で、種々の厚さの高分子電解質錯体や任意の強電解質化合物を内包した高分子電解質錯体、及び同一分子内にカチオン基とアニオン基を有する高分子電解質と同高分子電解質錯体を簡便に調製できる高分子電解質錯体の製造方法を提供する。【解決手段】 基材上に、熱によって酸基を発生しうる官能基を備えた高分子化合物と陽電荷を有する官能基及び熱によって陽電荷を有する官能基を形成しうる官能基の内の少なくとも何れかを備えた高分子化合物とを含有する溶液を塗布した後、または、熱によって酸基を発生しうる官能基と陽電荷を有する官能基及び熱によって陽電荷を有する官能基を形成しうる官能基の内の少なくとも何れかとを備えた高分子化合物を含有する溶液を塗布した後、該基材を加熱処理する事を特徴とする。

請求項（抜粋）：

基材上に、熱によって酸基を発生しうる官能基を備えた高分子化合物と陽電荷を有する官能基及び熱によって陽電荷を有する官能基を形成しうる官能基の内の少なくとも何れかを備えた高分子化合物とを含有する溶液を塗布した後、該基材を加熱処理する事を特徴とする高分子電解質錯体の製造方法。

IPC (4件)：

H01B 1/06 ,  C08J 7/04 ,  H01M 6/18 ,  H01M 10/40

FI (4件)：

H01B 1/06 A ,  C08J 7/04 Z ,  H01M 6/18 E ,  H01M 10/40 B

Fターム (23件)：

4F006AA02 ,  4F006AA12 ,  4F006AA15 ,  4F006AA35 ,  4F006AA36 ,  4F006AB16 ,  4F006AB24 ,  4F006AB65 ,  4F006AB66 ,  4F006BA06 ,  4F006CA09 ,  4F006DA04 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5G301CE01 ,  5H024BB01 ,  5H024BB08 ,  5H024EE09 ,  5H024FF21 ,  5H029AM16 ,  5H029CJ02 ,  5H029CJ22 ,  5H029EJ12