特許

J-GLOBAL ID：200903049804226073

固体撮像装置

発明者： 大澤 慎治 ,  松長 誠之 ,  宮川 良平 ,  山下 浩史 ,  佐々木 道夫 ,  中村 信男 ,  田中 長孝
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-051795
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268192
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】 裏打ち配線層間のコンタクトに起因する画質の劣化を抑制することができ、画質向上をはかり得る固体撮像装置を提供すること。【構成】 シリコン基板上に二次元配列され光電変換して得られた信号電荷を蓄積する信号電荷蓄積部13と、信号電荷蓄積部13から読み出された信号電荷を垂直方向に転送する垂直CCDと、垂直CCDにより転送された信号電荷を水平方向に転送する水平CCDと、垂直CCDの転送電極22を裏打ちする垂直方向に延びたポリSiバッファ電極31と、バッファ電極31を裏打ちする垂直方向に延びたAlシャント電極32と、転送電極22とバッファ電極31間の接続を取るコンタクト41と、バッファ電極31とシャント電極32間の接続を取るコンタクト42とを備えた固体撮像装置において、コンタクト42の水平方向の空間周波数fcを、光電変換の標本化周波数fsの2分の1に設定したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に二次元的に配列され光電変換して得られた信号電荷を蓄積する信号電荷蓄積部と、これらの信号電荷蓄積部から読み出された信号電荷を一方向に転送する複数本のCCDと、これらのCCDの転送電極を裏打ちする第1の裏打ち配線層と、第1の裏打ち配線層を裏打ちする第2の裏打ち配線層と、前記CCDの転送電極と第1の裏打ち配線層間の接続を取る第1のコンタクトと、第1の裏打ち配線層と第2の裏打ち配線層間の接続を取る第2のコンタクトとを具備し、第2のコンタクトの前記CCDの転送方向と直交する方向の空間周波数を、光電変換の標本化周波数の2分の1以上に設定してなることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/148 ,  H04N 5/335