特許
J-GLOBAL ID:200903049804490056

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松隈 秀盛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-127561
公開番号(公開出願番号):特開平5-326939
出願日: 1992年05月20日
公開日(公表日): 1993年12月10日
要約:
【要約】【目的】 高速動作化をはかる。【構成】 表面空乏層のない半導体1上に空間2を介してゲート電極3が配置されてゲート電極3下の半導体1の電子伝導を制御する。
請求項(抜粋):
表面空乏層のない半導体上に空間を介してゲート電極が配置されてゲート電極下の上記半導体の電子伝導を制御するようにしたことを特徴とする半導体装置。

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