特許

J-GLOBAL ID：200903049810592553

結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法

発明者： 高野 清隆 ,  飯野 栄一 ,  桜田 昌弘 ,  山岸 浩利
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 山本 亮一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-300479
公開番号（公開出願番号）：特開平8-157293
出願日： 1994年12月05日
公開日（公表日）： 1996年06月18日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 結晶欠陥の少ないチョクラルスキー法によるシリコン単結晶を高生産性で得る。【構成】 チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する場合において、育成されるシリコン単結晶が結晶成長時にシリコンの融点から 1,200°Cまでの高温域を通過する時間が 200分未満であり、 1,200°Cから 1,000°Cまでの低温域を通過する時間が 130分以下となるようにすることを特徴とする、シリコン単結晶の製造方法。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する場合において、育成されるシリコン単結晶が結晶成長時に1200°Cから1000°Cまでの低温域を通過する時間が 130分以下となるようにすることを特徴とする、シリコン単結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 15/00 ,  C30B 15/22 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭58-176197