特許

J-GLOBAL ID：200903049811808118

半導体装置の製造方法

発明者： 米田 喜和
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-334357
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144805
出願日： 1991年11月22日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】 シリコン基板の素子分離の形状を制御することのできる素子分離方法を得る。【構成】 シリコン基板上に薄い酸化膜、窒化膜を形成し、窒化膜をパターニングした後に、酸素注入、窒素注入を行い、LOCOS酸化し、窒化膜、酸化膜を除去する。また、シリコン基板上に薄い酸化膜、窒化膜を形成し、窒化膜をパターニングした後に、エッチングし、酸素注入、窒素注入を行い、LOCOS酸化し、窒化膜、酸化膜を除去する。【効果】 素子分離の形状を制御でき、分離の深さを深くするとともに、バーズビークを低減することができる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に素子分離領域を形成する方法において、前記シリコン基板の素子分離領域となるべき領域に高濃度の酸素を注入する工程と、前記領域に前記酸素注入工程よりも高エネルギーで高濃度の窒素を注入する工程と、前記処理した領域を酸化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/76