特許

J-GLOBAL ID：200903049812902045

強誘電体薄膜構成体

発明者： 阿部 能之
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 菅 直人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-079535
公開番号（公開出願番号）：特開平8-253324
出願日： 1995年03月10日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【目的】 例えば焦電型赤外線検出素子、アクチュエータ、不揮発性かつ非破壊性のメモリなどに用いる強誘電体薄膜構成体に係り、従来の高価なMgO単結晶基板を用いなくても、また基板の種類の如何にかかわらず、基板面に垂直にc軸の方向が揃った強誘電体薄膜を有する強誘電体薄膜構成体を提供する。【構成】 Bi系層状ペロブスカイト型結晶構造の酸化物薄膜が、その結晶軸のc軸が基板面に対して垂直方向に揃うように基板上に形成され、さらにその酸化物薄膜の上に一般式がABO3 で示されるペロブスカイト型結晶構造の強誘電体薄膜が形成されていることを特徴とする。ただし、上記式中のAはBi、Pb、Ba、Sr、Ca、Na、K、希土類元素のうち1種又は2種以上、BはTi、Nb、Ta、W、Mo、Fe、Co、Cr、Zrのうち1種又は2種以上の元素をあらわす。

請求項（抜粋）：

Bi系層状ペロブスカイト型結晶構造の酸化物薄膜が、その結晶軸のc軸が基板面に対して垂直方向に揃うように基板上に形成され、さらにその酸化物薄膜の上に一般式がABO3 で示されるペロブスカイト型結晶構造の強誘電体薄膜が形成されていることを特徴とする強誘電体薄膜構成体。ただし上記一般式において、A=Bi、Pb、Ba、Sr、Ca、Na、K、希土類元素のうち1種又は2種以上B=Ti、Nb、Ta、W、Mo、Fe、Co、Cr、Zrのうち1種又は2種以上

IPC (4件)：

C01G 29/00 ,  C04B 35/46 ,  G01J 5/12 ,  H01B 3/00

FI (4件)：

C01G 29/00 ,  G01J 5/12 ,  H01B 3/00 F ,  C04B 35/46 Z