位置規則性ポリマーの製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：葛和清司 , 望月史郎 , 井上洋一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-554454
公開番号（公開出願番号）：特表2008-537559
出願日： 2006年01月17日
公開日（公表日）： 2008年09月18日
要約：

本発明は、位置規則性ポリマー、特に高い位置規則性を有する頭-尾(HT)ポリ(3-置換)チオフェンの製造方法、この方法により製造される新規なポリマー、ならびに電界効果トランジスタ(FETs)、エレクトロルミネセント、光発電およびセンサーデバイスを含む、光学、電気光学または電子デバイスにおける、半導体または電荷輸送材料としての新規なポリマーの使用、ならびに新規なポリマーを含むFETおよび他の半導体部品または材料に関する。

請求項（抜粋）：

マグネシウムと反応できる少なくとも2つの基を有する任意に置換されたチオフェンからのポリマーの製造方法であって、触媒量の有機ハロゲン化物または有機マグネシウムのハロゲン化物の存在下において、前記チオフェンをマグネシウムと反応させることにより、位置化学的グリニャール中間体または位置化学的グリニャール中間体の混合物を形成し、および好適な触媒の存在下において、前記グリニャール中間体を重合することによる、前記製造方法。

IPC (7件)：

C08G 61/12 , G02F 1/136 , G02F 1/133 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 51/40 , H01L 51/50

FI (9件)：

C08G61/12 , G02F1/1368 , G02F1/13357 , H01L29/28 100A , H01L29/28 250G , H01L29/28 310J , H05B33/14 B , H05B33/22 B , H05B33/22 D

Fターム (25件)：

2H091FA44Z , 2H091FA45Z , 2H091FB02 , 2H091GA13 , 2H091LA12 , 2H092JA23 , 2H092KA09 , 2H092MA27 , 2H092NA27 , 2H092PA13 , 3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107BB02 , 3K107BB03 , 3K107CC45 , 3K107DD60 , 3K107DD68 , 3K107DD79 , 3K107GG00 , 4J032BA03 , 4J032BA04 , 4J032BB01 , 4J032BB04 , 4J032BC03 , 4J032CG03

引用特許：

審査官引用 (7件)

ポリ(3-置換チオフェン)の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-282638 出願人：科学技術振興事業団
ポリ(3-置換チオフェン)の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-031330 出願人：カーネギー-メロンユニバーシティ
位置規則的ポリチオフェンを調製するためのハロゲン化チオフェンモノマー
公報種別：公表公報出願番号：特願2007-551282 出願人：ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド

全件表示

前のページに戻る