特許
J-GLOBAL ID：200903049817120282
アルミ薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-237928
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084830
出願日： 1992年09月07日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】残留塩素による腐食がなく、しかも、表面形状の平坦なアルミ薄膜を形成することによって、半導体装置の品質及び歩留まりを向上させる。【構成】四塩化チタンガス3雰囲気にシリコン基板1を曝した後、シリコン基板1を水素原子4雰囲気に曝すと、水素原子4が吸着した四塩化チタンと反応し、四塩化チタンが分解してチタン原子5と塩化水素6を生じる。塩化水素6はガスとして気相中に脱離し、チタン原子5が酸化シリコン膜2上に析出する。続いて有機アルミ原料を用いた気相化学成長を行うとチタン原子5を核として平坦な表面形状のアルミ薄膜7が堆積する。
請求項（抜粋）：
四塩化チタンガス雰囲気に基板を曝した後、前記基板を水素原子雰囲気に曝し、続いて有機アルミ原料を用いた気相化学成長を行うことを特徴とするアルミ薄膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/285 301
, H01L 21/3205
