特許
J-GLOBAL ID：200903049819857487
3族窒化物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-328011
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148625
出願日： 1995年11月21日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：
【要約】【課題】逆方向の正電圧に対する耐絶縁破壊性を向上させること。【解決手段】n伝導型の高キャリア濃度n+ 層3、発光層5、p伝導型のp層61とが3族窒化物半導体で形成された発光ダイオード110と、同様な構成の補償ダイオード320が同一のサファイア基板1に形成されている。n電極層8と補償ダイオード320のp伝導型の第2層62のp電極層321とが接続されている。同様に、p電極層7と補償ダイオード320のn伝導型の第1層3のn電極層322とが接続されている。発光ダイオード110に逆電圧が印加、即ち、n電極層8がp電極層7より高くなっても、補償ダイオード320が導通するので、発光ダイオード110には逆電圧がかからない。よって、逆電圧により破壊が防止される
請求項（抜粋）：
3族窒化物半導体から成るp層、そのp層に接続するp電極層、n層及びそのn層に接続するn電極層とから成る発光部を有した発光素子において、前記発光部の前記p電極層に電気的に接続されるn伝導型の第1層と、前記発光部の前記n電極層に電気的に接続されるp伝導型の第2層とが接合された逆耐圧補償用の補償ダイオードを設けたことを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。
引用特許：
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