発光領域制限型発光ダイオード及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中野雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-217975
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041537
出願日： 1991年08月02日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 AlGaInP/GaInP系LEDにおいて、上クラッド層を酸化させず且つP原子を離脱させることなく、上クラッド層の表面に発光波長に対し透明なAlGaAs若しくはAlGaInP層を成長させる。【構成】基板1の上に、下クラッド層2、活性層3、上クラッド層4、酸化防止膜5、エッチングストップ層6及び電流阻止層7を順次成長させる。次いで、所定の径の発光部を開けて表面をマスクで被覆し、NH4OH:10H2O2で電流阻止層7を、煮沸濃塩酸(conc.HCl)でエッチングストップ層6をエッチングし、酸化防止膜5を露出させる。マスク除去後、MBEもしくはMOCVD装置中に入れて加熱し酸化防止膜5を上クラッド層4が露出するまで蒸発させ、露出と同時に発光波長に対し透明な再成長層8及びキャップ層9を成長させる。

請求項（抜粋）：

AlGaInP/GaInP系の発光領域制限型発光ダイオードにおいて、AlGaInP上クラッド層の上方に電流阻止層を形成し、当該電流阻止層から前記上クラッド層に向けて電流通路領域を形成するための開口をあけて当該上クラッド層を露出させ、発光波長に対し透明なAlGaAs若しくはAlGaInP再成長層を前記電流阻止層及び上クラッド層の上に形成したことを特徴とする発光領域制限型発光ダイオード。

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