特許
J-GLOBAL ID：200903049838075414
酸化膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-260651
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102130
出願日： 1991年10月08日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】簡単なプロセスで酸化膜を形成することができ、特に半導体装置の製造に有効な酸化膜の形成方法を提供する【構成】NF3 とO2 混合ガス雰囲気に置かれたSiウエハ21に水平方向からArFレーザー光を入射させ、光分解されたNF3 とSiおよび酸素とを互に反応させる。一方Siウエハ21に対して垂直方向から回路パターン状のKrFレーザー光を同時照射して、未露光部にSiO2 膜12を析出させ、露光部にSiをエッチングさせる。この様にして絶縁層(SiO2 膜)とボアホール(露光部のSi)が単一プロセスで形成される。
請求項（抜粋）：
NF3 と酸素または酸素化合物との混合ガス雰囲気中に基板を配置する工程と、前記混合ガス雰囲気中に180〜230nmの紫外光を入射して基板上に酸化膜を形成する工程とを具備した酸化膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 21/268
