特許
J-GLOBAL ID：200903049840038542
発光ダイオードアレイチップの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小橋 信淳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-258953
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085319
出願日： 1992年09月02日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】 ダイシング時に絶縁膜の剥離を抑え、最端発光部においても発光出力特性が低下することなく、発光素子の高密度集積が可能な発光ダイオードアレイチップを得る。【構成】 基板11a上にエピタキシャル層11bを成長させたエピタキシャルウエハ10に、最端発光部23の近傍でチップ外側に延びた張出し部21をもつ絶縁膜12を形成する。絶縁膜12の窓部を介してエピタキシャル層11bにp型不純物を拡散させ、発光部となるp型領域を形成する。張出し部21を逆方向に先行ダイシングした後、個々のチップにダイシングする。【効果】 先行ダイシングによって絶縁膜12を剥そうとする力が残留応力となり、チップのダイシング時に発生する絶縁膜12を剥そうとする逆方向の力を緩和する。そのため、切り出された個々のチップにおいて、絶縁膜12の剥離が抑制される。
請求項（抜粋）：
チップ端面方向の最端発光部近傍でチップ外側に向かった張出し部をもつ絶縁膜をn型基板上に形成し、前記絶縁膜に設けた窓部からp型不純物を拡散させて発光部を形成した後、前記基板をダイシングして個々の発光ダイオードアレイチップに切り出す際、前記絶縁膜の張出し部をチップのダイシング方向と逆方向に先行ダイシングすることを特徴とする発光ダイオードアレイチップの製造方法。
IPC (6件)：
H01L 33/00
, B41J 2/44
, B41J 2/45
, B41J 2/455
, B43L 13/00
, H01L 21/78
