特許
J-GLOBAL ID：200903049840623976
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-066298
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260864
出願日： 1999年03月12日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】【課題】 配線間容量を低減することができ、しかも機械的強度に優れた半導体装置を得る。【解決手段】 同一配線層に形成された配線108間に、空洞領域110と絶縁膜からなる領域105とが設けられている。
請求項（抜粋）：
同一配線層に形成された配線間に、空洞領域と絶縁膜からなる領域とが設けられていることを特徴とする半導体装置。
Fターム (22件)：
5F033HH09
, 5F033HH11
, 5F033HH13
, 5F033HH14
, 5F033HH19
, 5F033HH20
, 5F033MM01
, 5F033PP18
, 5F033QQ01
, 5F033QQ09
, 5F033QQ48
, 5F033QQ74
, 5F033RR04
, 5F033RR09
, 5F033RR29
, 5F033RR30
, 5F033SS11
, 5F033SS21
, 5F033XX01
, 5F033XX24
, 5F033XX25
, 5F033XX27
