特許

J-GLOBAL ID：200903049843550473

ドープ半導体基材を用いた熱電材料および熱電素子または熱電素子対

発明者： 小 林 正 和 ,  篠 原 和 彦 ,  宗 像 文 男 ,  根 本 昌 教
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 小塩 豊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-038632
公開番号（公開出願番号）：特開平6-252451
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】 安価な原料と一般的でかつ容易な粉末焼成法を用いて製造することが可能である耐熱性に優れた性能指数が大きい熱電材料およびこれを用いた熱電素子または熱電素子対を提供する。【構成】 酸化亜鉛を主体としかつインジウムおよびリチウムを含有してなり、酸化亜鉛中の亜鉛、インジウムおよびリチウムの含有比をα:β:γ(ただし、α+β+γ=1)としたときに、βおよびγが、それぞれ、0.00<β<5.00%、0.00<γ<0.42%の範囲にある熱電材料およびこれを用いた熱電素子または熱電素子対。

請求項（抜粋）：

ドープ半導体基材に、補償効果を有するカウンタードーパントを電力因子(ゼーベック係数Sの二乗×電気伝導度σ)が極大となるように含有させたことを特徴とするドープ半導体基材を用いた熱電材料。

IPC (2件)：

H01L 35/14 ,  C01G 15/00

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-204475
  
• 特開平2-043469
  
• 特開平2-108766
  
• 特開平4-089976