特許
J-GLOBAL ID：200903049844257990
半導体ウェハの化学機械的研磨装置、同装置のプラテンへの半導体ウェハ研磨用パッドの取付け方法、および同装置の研磨用複合パッド
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 豊 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-192736
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097132
出願日： 1993年07月07日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】 研磨装置における二枚のパッド202、208間の突然の層剥離という欠陥を減少させるとともに、研磨に使用されるスラリーの量を減少させることが可能な化学機械的研磨に関する改良された手法を提供することを課題とする。【構成】 表面を有するとともに回転するプラテン206と、半導体ウェハ220を研磨する表面およびプラテン206に接着する裏面を有するとともに、プラテン206の表面に接着した少なくとも一枚の研磨用パッド(上方パッド208)と、この少なくとも一枚の研磨用パッド208の裏面の周縁領域のまわりに延びるガスケット材料によるビーズ230と、を有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
表面を有するとともに回転するプラテンと、半導体ウェハを研磨する表面および前記プラテンに接着する裏面を有するとともに、このプラテンの表面に接着した少なくとも一枚の研磨用パッドと、この少なくとも一枚の研磨用パッドの裏面の周縁領域のまわりに延びるガスケット材料によるビーズと、を有する半導体ウェハの化学機械的研磨装置。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, B24B 1/00
