特許

J-GLOBAL ID：200903049845209345

外部磁界を検出するためのセンサ装置

発明者： ウオルフガング クレメンス
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-137924
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070325
出願日： 1997年05月12日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】 軟磁性の測定層と、予め定められた磁化方向を有する磁気的に硬いバイアス層部分とを含んでおり、また大きい磁気抵抗効果(GMR)を示すそれぞれ1つの薄膜構造を有する多数の磁気抵抗式センサ要素を有する外部磁界を検出するためのセンサ装置を、少数のセンサ要素により外部磁界の方向および/または強さの検出が可能とされるように構成する。その際に要素の全体の温度依存性の影響も抑制する。【解決手段】 バイアス層部分の磁化方向m1 、m2 が少なくともほぼ互いに逆並列に向けられまた基準線bを定めるセンサ要素の少なくとも1つの対S1、S2が設けられており、またバイアス層部分の磁化方向m3 、m3 ́、m4 、m4 ́が前記基準線bと予め定められた角度βをなす少なくとも1つの別のセンサ要素S3、S3 ́、S4、S4 ́が設けられている。

請求項（抜粋）：

軟磁性の測定層と、予め定められた磁化方向を有する磁気的に硬いバイアス層部分とを含んでおり、また大きい磁気抵抗効果(GMR)を示すそれぞれ1つの薄膜構造を有する多数の磁気抵抗式センサ要素を有する外部磁界を検出するためのセンサ装置において、バイアス層部分の磁化方向(m1 、m2 )が少なくともほぼ互いに逆並列に向けられまた基準線(b)を定めるセンサ要素の少なくとも1つの対(S1、 S2)が設けられており、バイアス層部分の磁化方向(m3 、m3 ́、m4 、m4 ́)が前記基準線(b)と予め定められた角度(β)をなす少なくとも1つの別のセンサ要素(S3、S3 ́、S4、S4 ́)が設けられていることを特徴とする外部磁界を検出するためのセンサ装置。

IPC (3件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/00

FI (3件)：

H01L 43/08 Z ,  H01F 10/00 ,  G01R 33/06 R