半導体メモリの書き込み制御回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-119461
公開番号（公開出願番号）：特開平5-151787
出願日： 1992年05月13日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】UVEPROMの書き込みにおいて、必要以上の書き込み時間をかけないようにする。また、メモリセルに対して書き込み時に、必要以上のストレスをかけないようにする。【構成】書き込み制御回路部に、メモリセル5〜8のリファレンスとなるセルを置き、そのセルに流れる電流がメモリセル5〜8が書き込まれた状態の時に、メモリセル5〜8に流れる電流値と等しくなるように設定しておく。そのメモリセル5〜8とリファレンスセルに流れる電流を比較する回路を設けておき、メモリセル5〜8に流れる電流の方が小さくなった場合に、書き込み動作を停止させ他のメモリセルへの書き込みを開始する信号を発生させる。【効果】前記の構成により、UVEPROMの書き込みに要する時間を短くすることができ、また、一度書き込まれたセルへの過書き込みも防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

半導体メモリセルへの書き込み時に、前記メモリセルに流れ込む電流を検出する回路を備え、前記回路の検出電流により前記メモリセルへの書き込み終了を判定し、書き込み動作を停止させ、他のメモリセルへの書き込み動作を開始させる信号を発生させる回路を有することを特徴とする半導体メモリの書き込み制御回路。

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