特許

J-GLOBAL ID：200903049855337759

混晶膜の気相成長方法およびその装置

発明者： 山縣 秀夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-164799
公開番号（公開出願番号）：特開2000-351694
出願日： 1999年06月11日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板上に所望組成比のSi(1-x-y) Gex Cy 混晶を精度良く安価に、かつ高い生産性で成膜する。【解決手段】 減圧下の反応室3内のサセプター4上に半導体基板5としてシリコン基板を載置する。タングステンハロゲンランプ2でシリコン基板の表面を約700°Cに維持し、かつ、キャリアガスとして水素ガスを供給しながら、シリコン原料ガスとしてジクロルシランと、ゲルマニウム原料ガスとしてゲルマンと、炭素原料ガスとしてアセチレンとを、それぞれマスフローコントローラー18,19,20を介して反応室に供給する。これにより、シリコン基板のシリコン表面に単結晶のSi(1-x-y) Gex Cy 混晶が成膜される。この成膜工程では、真空排気装置により反応室の圧力を1×102 〜2×104 Paの範囲内に維持する。

請求項（抜粋）：

シリコン原料ガス、ゲルマニウム原料ガスおよび炭素原料ガスを水素ガスと共に用い、気相成長によりシリコンゲルマニウム炭素混晶膜を成膜する方法において、シリコン原料ガスとしてゲルマニウム原子、炭素原子のいずれも含まないものを、ゲルマニウム原料ガスとしてシリコン原子、炭素原子のいずれも含まないものを、炭素原料ガスとしてシリコン原子、ゲルマニウム原子のいずれも含まないものを、それぞれ用いるとともに、加熱した半導体基板の表面にこれらの原料ガスを1×102 〜2×104 Paの圧力下で供給して、シリコンゲルマニウム炭素混晶膜を成膜することを特徴とする混晶膜の気相成長方法。

IPC (3件)：

C30B 29/10 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C30B 29/10 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/205

Fターム (47件)：

4G077AA03 ,  4G077DB05 ,  4G077DB07 ,  4G077DB21 ,  4G077EA02 ,  4G077EA03 ,  4G077EG15 ,  4G077TB05 ,  4G077TC06 ,  4G077TC08 ,  4K030AA03 ,  4K030AA05 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA09 ,  4K030BA27 ,  4K030BA29 ,  4K030BA37 ,  4K030CA04 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA24 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB01 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045BB08 ,  5F045BB09 ,  5F045CA02 ,  5F045DB03 ,  5F045DP28 ,  5F045EB08 ,  5F045EB13 ,  5F045EE04 ,  5F045EK12